加工流程
　　单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
　　倒角→研磨 　　　腐蚀--抛光→清洗→包装
　　切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
　　切断的设备：内园切割机或外园切割机
　　切断用主要进口材料：刀片
　　外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比***终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
　　外径滚磨的设备：磨床
　　平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
　　处理的设备：磨床及X-RAY绕射仪。
　　切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
　　切片的设备：内园切割机或线切割机
　　倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
　　倒角的主要设备：倒角机
　　研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
　　研磨的设备：研磨机(双面研磨)
　　主要原料：研磨浆料(主要成份为氧化铝，铬砂，水)，滑浮液。
　　腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
　　腐蚀的方式：(A)酸性腐蚀，是***普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸(HNO3)，氢氟酸(HF)，及一些缓冲酸(CH3COCH，H3PO4)组成。
　　　　　　　(B)碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
　　抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
　　抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
　　抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10-20um；
　　　　　　　　精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
　　主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH(或KOH或NH4OH)组成，分为粗抛浆和精抛浆。
　　清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的***终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
　　清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。
　　主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
　　损耗产生的原因
　　A.多晶硅--单晶硅棒
　　多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。
　　重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质(种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型)放入石英坩埚内溶化而成的料。
　　重掺料主要用于生产低电阻率(电阻率＜0.011欧姆／厘米)的硅片。
　　损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15%。
　　单晶硅棒整形过程中的头尾料约20%。
　　单晶整形过程中(外径磨削工序)由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比***终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10%-13%。